By administrator | tin tức năng lượng, tích điện Mặt Trời, Pin tích điện mặt trời, tài liệu kỹ thuật

Tấm pin phương diện trời đầu tiên được tạo nên bởi công ty vậy lý học fan Nga Aleksandr Stoletov vào khoảng thời gian 1888 nhờ vào hiệu ứng quang điện được phạt hiện bởi vì Heinrich Hertz trước đó vào năm 1887. Theo Wiki “Hiệu ứng quang năng lượng điện được phạt hiện đầu tiên năm 1839 vị nhà vật dụng lý Pháp Alexandre Edmond Becquerel thời điểm ông 19 tuổi lúc đang làm cho thí nghiệm tại phòng phân tích của cha.

Willoughby Smith nói đến phát minh này vào một bài xích báo xuất bạn dạng ngày 20 tháng 2 năm 1873 trên tập san Nature. Tuy nhiên cho tới 1883 một pin năng lượng mới được chế tác thành, bởi Charles Fritts, ông khóa lên mạch chào bán dẫn selen một lớp cực mỏng manh vàng để tạo nên mạch nối, thiết bị chỉ có hiệu suất 1%.”

*
Willoughby Smith


Tạo ra nguồn tích điện xanh

Ánh sáng phương diện trời là nguồn tích điện tự nhiên không còn xa lạ với toàn bộ mọi người. Nhờ có tấm pin tích điện mặt trời nhưng mà nguồn tích điện tự nhiên đó được chuyển biến thành điện năng để ship hàng cho cuộc sống của con bạn .

Bạn đang xem: Lịch sử phát triển của điện trở

Thân thiện cùng với môi trường

Một điểm cộng cho tấm pin năng lượng mặt trời chính là tạo ra một nguồn năng lượng sạch, thân thiện với môi trường.


Thế kỷ đồ vật 7 trước công nguyên: Thời Ai Cập Cổ Đại , những ngôi công ty được xây cất để những bức xạ khía cạnh trời hoàn toàn có thể được thu thập vào ban ngày và được sử dụng vào ban đêm.Thế kỷ máy 5 trước công nguyên: fan Hy Lạp kim chỉ nan nhà của họ để họ có thể nhận được tích điện mặt trời vào mùa đông để sưởi ấm ngôi nhà.Thế kỷ thứ 3 trước công nguyên: Archimedes đã sử dụng những tấm gương để phản chiếu bức xạ mặt trời và để bảo đảm an toàn Syracuse từ cuộc xâm lăng của tín đồ La Mã.Thế kỷ thứ hai trước công nguyên: các cửa sổ đầu tiên làm từ bỏ mica trong suốt đã được chèn vào trong đơn vị ở khu vực miền bắc Ý, với mục đích để tăng việc sử dụng bức xạ mặt trời trong thời gian mùa đông.Thế kỷ đầu tiên sau công nguyên : các “heliocaminos” được bước đầu sử dụng . Vào lúc thế kỷ đồ vật 5, những bể tắm năng lượng mặt trời với những cửa sổ mica lớn hướng về phía nam được thực hiện tối nhiều tại Ý.Thế kỷ đồ vật 14 : định luật năng lượng mặt trời thứ nhất được trình làng tại Ý.1767 sinh hoạt Nga: M.V. Lomonossov đề xuất việc sử dụng các thấu kính để tập trung bức xạ phương diện trời.1767 tại Thụy Sĩ: Horace de Saussure tò mò ra sự khuếch đại với tăng năng suất nhiệt trong số hộp kính 5 nếp gấp nhiều loại Matjoshka.1830 tại phái nam Phi: J. Hershel thực hiện nồi nấu tích điện mặt trời đầu tiên .Khoảng 1830: H. Repton kiến thiết nhà kính trước tiên ở châu Âu.
1839: Alexandre-Edmund Becquerel, một nhà vật lý thực nghiệm trẻ nghỉ ngơi Pháp, phát hiển thị hiệu ứng quang năng lượng điện ở tuổi 19, trong những khi giúp phụ thân mình, thử nghiệm với những pin điện phân tạo thành bởi nhì điện rất kim loại1873: W. Smith, thao tác tại Anh, phát hiện ra tính quang quẻ dẫn của Selenium, mang đến việc phát minh ra pin quang dẫn.1876: G. W. Adams với R.E. Day, Mỹ, quan liền kề thấy cảm giác quang điện trong hóa học rắn Selenium.1883: Ch. Frits, một nhà phát minh người Mỹ, mô tả những pin năng lượng mặt trời được gia công từ đầy đủ tấm Se-wafer.1887: tại Đức ,H. Hertz phát hiển thị rằng tia nắng tia cực tím chuyển đổi điện áp thấp độc nhất mà có tác dụng gây một tia lửa năng lượng điện giữa nhị điện cực kim loại.1888: Ed. Weston thừa nhận được bằng bản quyền sáng chế cho pin tích điện mặt trời.1904: W. Hallwachs phát hiển thị sự nhạy cảm ánh sáng trong cặp đồng với ôxít đồng.1904: A. Einstein xuất bạn dạng nghiên cứu định hướng tiên phong của ông về hiệu ứng quang năng lượng điện (ông nhấn giải Nobel năm 1921 cho công trình xây dựng này).1916: R.A. Millikan hỗ trợ bằng chứng thực nghiệm của những hiệu ứng quang quẻ điện.1916: Y. Czochralski (nhà khoa học người tía Lan ) cách tân và phát triển một phương pháp mới để trở nên tân tiến tinh thể đối chọi Silicon.1930: W. Schottky phát hiện ra pin quang điện ôxít đồng mới.1931: AF Ioffe hướng dẫn một dự án công trình tại Viện thiết bị Lý chuyên môn ở St Petersburg về pin sạc quang thallium sulphide ( TI2S) , đã đạt được hiệu suất kỷ lục > 1% vào thời gian đó. Ông sẽ gửi một đề nghị tới cơ quan chỉ đạo của chính phủ Xô viết liên quan đến việc sử dụng mái nhà điện quang để cung cấp điện.1932: Audobert với Stora khám phá ra hiệu ứng quang điện của CdS.1948: W. Schottky trình diễn các tư tưởng lý thuyết đầu tiên cho quang điện bán dẫn.1951: tại phòng xem sét BELL liên kết p-n thứ nhất được tạo thành trên germanium.1953: D. Trivich công bố những tính toán lý thuyết thứ nhất về hiệu suất biến đổi của quang quẻ phổ so với các vật tư có bandgap khác nhau.1953: G. Pearson trên phòng thí điểm Bell ban đầu nghiên cứu vớt pin tích điện mặt trời bởi Li-doped Silicon.1953: D. Chapin; C. Fuller cùng G. Pearson Silicon tiến hành một pin năng lượng mặt trời rộng 2 cm2 với năng suất 4% (công tía trên trang bìa NY Times ).1954: D. Chapin, C. Fuller và G. Pearson cách tân hiệu suất của pin tích điện mặt trời lên 6%; pin tích điện mặt trời AT & T giới thiệu ở Murray Hill, NJ.1954: trên Siemens sống Đức, G. Spenke cùng nhóm của ông phát triển một phương pháp hiệu trái cho câu hỏi sản xuất poly-Si: những nhà khoa học và chuyên viên từ Wacker cùng TU Munich tham gia trong công trình xây dựng này cùng với Siemens. Mẫu được hotline là phương pháp Siemens là technology chính để tiếp tế pin năng lượng mặt trời và cung cấp dẫn một số loại Si.1954: J.J. Loferski với Jenny tại RCA báo cáo về hiệu ứng quang điện rõ nét trong CdS1954: hiệp hội cộng đồng quốc tế về năng lượng mặt trời -The International Solar Energy Society (ISES)- được thành lập ở Phoenix, AZ. 1970. Trụ sở chính của nó kế tiếp được đưa tới Melbourne, Australia, và vào năm 1995 nó sẽ được di chuyển một đợt tiếp nhữa đển Freiburg, Đức.1957-1959: Hoffmann Electronics đã có được 8, 9 với 10% công suất và phạt triển hệ thống các mọt nối, sút điện trở của các thiết bị đáng kể.1960: Hoffmann Electronics tăng hiệu suất pin quang quẻ điện mang đến 14%, đa phần được sử dụng cho vệ tinh và những ứng dụng không gian.1960/1961: H. Mori sống Nhật phiên bản và A.K. Zaitseva & O. P Fedoseeva sinh hoạt Nga tự do đề xuất module quang năng lượng điện lưỡng phương diện .1961: W. Shockley với H. Queisser cách tân và phát triển một kim chỉ nan về nhiệt rượu cồn lực học tập dựa trên nguyên lý “sự cân bằng chi tiết” mang lại pin phương diện trời 1 côn trùng nối.1961: họp báo hội nghị các chuyên gia quang điện IEEE đầu tiên được tổ chức ở Philadelphia, Mỹ.1963: Sharp sống Nhật bạn dạng đã gắn đặt các mạng pin phệ nhất thế giới cho những ứng dụng trên mặt đất, với công xuất 242 W.1966: Mạng pin khía cạnh trời 1 kW được cài đặt lên đài quan gần kề thiên văn quỹ đạo.1966: Zh.I. Alferov, V.B. Khal n và R.F. Kazarinov phát hiện tại hiệu ứng “super-injection” trong một double heterostructure (DHS).1970: Zh.I. Alferov, V.M. Andreev và một đội nhóm ở Viện Ioffe, St Petersburg ra mắt pin tích điện mặt trời thứ nhất với GaAs heterostructure.1973: Solarex được ra đời tại Hoa Kỳ. Công ty này sản xuất thương mại pin tích điện mặt trời đa tinh thể và các pin năng lượng mặt trời vô định hình. Solarex sau đó được mua lại bởi Amoco / Emron và tiếp đến là BP Solar.1974: Nhật bạn dạng trình bày dự án Sunshine vào đầu của cuộc rủi ro dầu khí.1976/1977: Thu huỳnh quang thứ nhất dung cho những ứng dụng tích điện mặt trời được gợi ý tự do bởi A. Goetzberger cùng W. Greubel, và vì WH Weber cùng J. Lambe.1976: D. Carlson với Ch. Wronsky trên RCI, Mỹ trình diễn pin tích điện mặt trời bằng màng mỏng mảnh a-Si: H trước tiên với hiệu suất khoảng 1%.1977: Viện Nghiên Cứu năng lượng mặt trời (SERI), trong tương lai trở thành chống Thí Nghiệm năng lượng Tái Tạo tổ quốc (NREL) mở cửa tại Golden, CO, USA.

Xem thêm:

1977: Hội nghị tích điện Mặt trời EC PV mở màn ở Luxembourg.Năm 1978: chống thí nghiệm thứ nhất về năng lượng mặt trời và những nguồn tích điện tái tạo ra (SENES) mở màn hoạt cồn tại Châu Âu tại học viện chuyên nghành Hàn Lâm khoa học Bungari trên Sofia.1980: M.Riel bước đầu chương trình danh tiếng 1000 căn nhà với pin năng lượng mặt trời sinh sống Zurich, Thụy Sĩ.1980: BP đi vào sale năng lượng mặt trời.1981: Viện năng lượng Mặt trời Fraunhofer ISE sống Freiburg, Đức thành lập và hoạt động bởi Goetzberger A.1981: R. Hezel reviews Plasma Silicon Nitride (PECVD) như lớp bội nghịch chiếu cùng lớp thụ động, mà hiện nay được vận dụng cho số đông tất cả pin năng lượng mặt trời thương mại dịch vụ bằng Silicon.1981: Gương triệu tập phản chiếu tích điện mặt trời sử dụng lần đầu tiên tại Viện Ioffe St Petersburg.Năm 1982: cấp dưỡng điện quang trên toàn thế giới đạt quý giá 10 MW.1982: một nhà máy quang điện 1-MW – được xây dựng vì ARCO Solar với 100 trackers lưỡng trục cùng với c- mê man module bước vào sử dụng trên California.Năm 1983: cấp dưỡng pin khía cạnh trời bên trên toàn quả đât vượt mức trăng tròn MW, và lợi nhuận bán vượt mức 250 trieu USD.1984: M.A Green cùng S. Wenham reviews pin tích điện mặt trời Laser-Grooved Buried-Contact (LGBC).1985: M. Green tại Đại học New South Wales, Australia, phá vỡ rào cản về hiệu suất 20% mang lại pin tích điện mặt trời c-Si dưới một nắng nóng trong phòng thí nghiệm.1985: R. Swanson thành lập và hoạt động Sun power nguồn tại California với mục tiêu để thương mại hóa pin năng lượng mặt trời c-Si công suất cao.1986: ARCO Solar phân phối module quang điện màng mỏng thương mại đầu tiên.1987: The Solar Challenge được khánh thành, với cuộc đua xe sử dụng pin mặt trời dọc Australia.1989: V.D. Rumyantsev trên Viện Ioffe, St Petersburg ra mắt hệ thống pin khía cạnh trời cần sử dụng thấu kính tập trung với form size giảm dần.1990: ARCO Solar được bán ra cho Siemens và đổi tên thành Siemens Solar.1991: Nukem GmbH (nay Schott Solar) xuất bản thí điểm xí nghiệp sản xuất quang năng lượng điện 1 MW trường đoản cú pin khía cạnh trời mono- & bifacial MIS-inversion-layer, được cải cách và phát triển bởi đội của R.Hezel tại Đại học Erlangen.1991: M. Graetzel sáng tạo ra pin khía cạnh trời dye-sensitized electrochemical. Công suất > 10% thu được trong tầm 5 năm sau khi phát hiện.1992: BP thương mại hoá pin khía cạnh trời laser Grooved c-Si (bằng sáng chế của MA Green với S.Wenham).1994: NREL trở nên tân tiến và thành lập pin mặt trời 2 đầu với công suất cao GaInAsP /GaAs, với năng suất >30% bên dưới 180 nắng. Cố hệ thứ ba CPV ra đời.1997: PV mái nhà dùng sạc pin quang điện khủng nhất, cùng với >3 MW được lắp đặt tại Munich, Đức.1997: Sanyo bắt đầu sản xuất 1 loạt pin phương diện trời năng suất cao HIT c-Si/a-Si: H.1998: SolarWorld AG được ra đời ở Đức, là doanh nghiệp quang điện tích hợp theo theo hướng dọc đầu tiên.1999: M.A Green và J. Zhao đã đạt được hiệu suất kỷ lục 24,7% vào phòng xem sét với pin mặt trời c-Si.1999: toàn bô quang năng lượng điện được cài bỏ lên toàn thế giới vượt nấc 1GW.2000: Đức reviews luật EEG bắt đầu (luật feed-in), vào 2008, cơ chế này được dịch sang hơn 40 ngôn ngữ. Đức trở thành thị trường quang điện lớn nhất trên rứa giới.2002: hội nghị Solar Silicon đàu tiên đối phó với cuộc rủi ro khủng hoảng của Si vật liệu được tổ chức triển khai bởi Photon tại Munich, Đức.2002: Cypress Corp với Sun Power nghỉ ngơi USA bước đầu sản xuất thử nghiệm pin khía cạnh trời hiệu suất cao c-Si Sun Power. Phân phối hàng loạt thành lập và hoạt động ởPhilippines.2002: Siemens Solar được bán cho Shell Solar, 2004 Shell Solar c-Si chuyển nhượng ủy quyền cho SolarWorld.2004: General Electric vào thi ngôi trường quang năng lượng điện ( PV), sau khi trở thành chủ thiết lập của AstroPower.2005: Sharp vẫn là nhà thêm vào pin quang điện ( PV) lớn số 1 trên toàn trái đất PV.2005: Q-Cells, được thành lập vào năm 2002, là nhà cấp dưỡng tế pin PV vạc triển nhanh nhất có thể trên toàn cụ giới.2006: trong suốt lộ trình PV mang lại Châu Âu được khuyến cáo bởi WCRE.2006: rộng 25% những module PV tiếp tế trên toàn trái đất được lắp đặt tại Đức.2006: SolFocus trên Mỹ, Concentrix-Solar sinh sống Freiburg, Đức, và SolarTec AG sống Munich, Đức, bước đầu sản xuất thí điểm Concentrator III-V PV (CPV). CPV Mô-đun bao hàm các sạc bộ cha GaAs bên trên Ge substrate với công suất > 35%, cùng thấu kính Fresnel triệu tập làm tự silicon chống UV , có tác dụng cung cấp lên tới mức 800 nắng.2006: Wacker mở rộng sản xuất pin năng lượng mặt trời poly-Si trên Burghausen, Đức, lên tới 16.000 tấn / năm nhằm trở thành tập đoàn thứ nhì trong nghành nghề dịch vụ này trên toàn nỗ lực giới. Việc đầu tư chi tiêu mới là khoảng chừng 500 trieu Euro.2006: họp báo hội nghị quốc tế thứ nhất về Solar Glass được tổ chức bởi Photon tại Munich.2007: Hemlock thông tin mở rộng lớn với qui mô lớn về thêm vào poly-Si lên tới mức 3.600 tấn/năm trên MI, Mỹ, cùng sẽ bước đầu sản xuất vào thời điểm năm 2010. Việc chi tiêu là khoảng chừng 1 tỷ USD , Hemlock là nhà sản xuất poly-Si lớn nhất trên toàn nắm giới.2006: InterSolar, Hội chợ nước ngoài về năng lượng mặt trời khủng nhất ra mắt lần sản phẩm công nghệ 10 với lần sớm nhất là ngơi nghỉ Freiburg, Đức.2007: SunPower cùng Sanyo thông báo hiệu suất cao nhất cho sản xuất một loạt pin phương diện trời trong một nắng là 22%.2007: Al Gore với IPCC nhấn giải Nobel độc lập .2007: họp báo hội nghị Liên hiệp quốc dành cho đổi khác khí hậu ra mắt tại Bali.2008: Q-Cells quá qua Sharp để biến nhà chế tạo PV lớn số 1 thế giới.